|
||
Galaxy S11 может базироваться на 5-нм SoC. Samsung рассекретила 3-нанометровую технологиюКомпания Samsung Electronics раскрыла подробности о своих планах по разработке будущих мобильных процессорных технологий. Она объявила, что 3-нанометровый процесс 3GAE (3 нм Gate-All-Around) версии 0,1 уже готов. По сравнению с 7-нанометровой технологией, техпроцесс 3GAE обещает уменьшение на 45% размера чипа, на 50% снижение потребления энергии и или на 35% повышенную производительность. Техпроцесс на базе GAA должен найти широкое применение в следующем поколении мобильных устройств, сетевых устройствах, автомобильных решениях и гаджетах «Интернета вещей». Джерело: iXBT.com Обговорення новиниКоментариев пока никто не оставил. Станьте первым! Попередні новини
|
|
|