Рынок смартфонов с 3D-системой сканирования лица быстро набирает обороты
Поставки Android-смартфонов, оснащённых передовой функцией идентификации пользователей по лицу, в текущем году резко вырастут. Такой прогноз делают аналитики Digitimes Research.
Речь идёт об аппаратах с 3D-системой сканирования лица. Одними из первых Android-смартфонов с соответствующей технологией стали модели Oppo Find X и Xiaomi Mi 8 Explorer, дебютировавшие в середине прошлого года. Затем последовали Mate 20 Pro, Mate 20 RS и Honor Magic 2.
Аналитики полагают, что в текущем году резкому росту поставок смартфонов с 3D-системой сканирования лица будут способствовать несколько факторов. В частности, всё больше производителей будут внедрять относительно недорогие аппаратные решения, основанные на применении стереокамеры.
Кроме того, ожидается распространение технологии ToF, или времяпролётной камеры (time-of-flight). Такие датчики служат для измерения глубины сцены: принцип работы заключается в измерении времени движения света от источника до объекта и отражённого света до специального сенсора.
Джерело: 3DNews.ru
Обговорення новини
Попередні новини
Qualcomm продает более 1500 патентов и заявок на патенты15:47 11.02.2019Компания WiTricity, называющая себя «пионером в области беспроводной передачи энергии», объявила о приобретении у Qualcomm «определенных технологических платформ и активов, включая более 1500 патентов и заявок на патенты, относящиеся к беспроводной зарядке».
Adobe видит в ARM архитектуру «всевластия» и даже мечтает о собственном процессоре23:30 10.02.2019Некоторое время назад Adobe провела домашнюю конференцию, на которой главный технолог компании Абхай Параснис (Abhay Parasnis) где намёками, а где открыто обрисовал пути для дальнейшего развития компании. Начнём с конца.
Китай приступит к 14-нм массовому производству до середины 2019 года23:22 10.02.2019На этой неделе появились сообщения о том, что SMIC, крупнейший полупроводниковый производитель Китая, собирается в первой половине текущего этого года начать массовое производство чипов с использованием самостоятельно разработанной технологии производства 14 нм FinFET.
