|
||
Samsung показала президенту США новий 3-нм чіпУ ході візиту президента США Джо Байдена (Joe Biden) до Південної Кореї він відвідав завод Samsung Electronics, на якому йому мали продемонструвати новий чіп, вироблений за технологією 3 нм. Крім того, Байден висловився про співпрацю з Південною Кореєю, у тому числі в напівпровідниковій сфері. Це перший візит американського глави держави до азіатської країни з моменту його вступу на посаду - 10 днів тому вступив на посаду і новий президент Південної Кореї Юн Сок Йоль (Yoon Suk-yeol). Триденний візит Байдена розпочався з відвідування комплексу Samsung у м. Пхентхеку - це найбільший у світі завод з виробництва напівпровідникової продукції, він розташований за 70 км на південь від Сеула. Корейське агентство Yonhap News повідомляє, що особисту екскурсію величезним комплексом американському політику провів віце-президент Samsung Electronics Лі Чже Ен (Lee Jae-yong). Компанія показала пану Байдену 3-нм чіп нового покоління, виготовлений за технологією Gate-All-Around (GAA) - масове виробництво таких напівпровідників стартує найближчими місяцями. Як кажуть у Samsung, технологія GAA дозволяє знизити розміри компонентів на 35%, забезпечуючи при цьому підвищення продуктивності на 30% або зниження споживання електроенергії на 50% у порівнянні з чіпами на основі техпроцесу 5 нм. Компанія також заявила, що вже проводиться розробка технологічних вузлів 2 нм, а масове виробництво на їх основі заплановано на 2025 рік. Джерело: SmartPhone.ua Обговорення новиниКоментариев пока никто не оставил. Станьте первым! Попередні новини
|
|
|