Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД
Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 ГБ на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG). Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с).
Модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач. Новая оперативная память Samsung относится к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.
«Применяя техпроцесс HKMG в производстве DRAM, мы можем предложить нашим клиентам высокопроизводительную и энергоэффективную память для компьютеров, выполняющих задачи для медицинских исследований, финансовых рынков, автономного вождения, “умных” городов и других сфер», – прокомментировал Янг-Су Сон (Young-Soo Sohn), вице-президент группы планирования и поддержки памяти DRAM в Samsung Electronics.
«Поскольку объем данных, которые необходимо перемещать, хранить и обрабатывать, растет по экспоненте, переход на DDR5 наступает в критический момент для облачных ЦОД, сетей и периферийных развертываний. Инженеры Intel в тесном сотрудничестве с лидерами в сфере памяти, такими как Samsung, создали быструю, энергоэффективную память DDR5 с оптимизированной производительностью, совместимую с нашими будущими процессорами Intel Xeon Scalable под кодовым названием Sapphire Rapids», – отметила Кэролин Дюран, вице-президент и генеральный директор по технологиям памяти и ввода-вывода в компании Intel.
В DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG, DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность имеет большое значение.
Используя технологию вертикальных межсоединений (through-silicon via, TSV), память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 ГБ, обеспечивая максимальную емкость 512 ГБ. Технология TSV впервые была задействована в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.
Джерело: SmartPhone.ua
Обговорення новини
Попередні новини
AOC представила игровые гарнитуры GH200 и GH300: геймерский звук нового уровня17:24 26.03.2021AOC, один из ведущих мировых брендов на рынке мониторов, продолжает расширять модельный ряд своих аксессуаров для геймеров и представляет сразу две игровые гарнитуры, AOC GH200 и GH300.
Рынок устройств умного дома в ближайшие годы будет уверенно расти17:19 26.03.2021Специалисты аналитической компании IDC подготовили прогноз, относящийся к рынку устройств умного дома. По их мнению, в ближайшие годы указанный рынок будет уверенно расти.
Изготовление габиона: простое решение оформления сада, двора, участка17:07 26.03.2021Все чаще и чаще в создании ландшафтных дизайнов применяется метизная продукция. Именно с этой целью прекрасно подходит сетка канилированная купить которую к тому же можно относительно недорого.