У Samsung готовы микросхемы памяти GDDR6, поддерживающие скорость 24 Гбит/с

10:55, 15.12.2021

Их плотность — 16 Гбит

По сообщению источника, компания Samsung начала поставку образцов микросхем памяти GDDR6Ю поддерживающих скорость передачи данных 24 Гбит/с. Уточним, что это стандартные микросхемы GDDR6, созданные в соответствии со спецификациями JEDEC, а не микросхемы GDDR6X, спецификации которых были разработаны совместно Nvidia и Micron.

Описываемые микросхемы Samsung могут использоваться как Nvidia, так и AMD, если их графические процессоры поддерживают указанную выше скорость передачи данных. Каталожный индекс микросхем — K4ZAF325BC-SC24. Плотность 16 Гбит означает, что 8 микросхем достаточно, чтобы получить 16 ГБ памяти, подключенной к шине шириной 256 бит. Если же взять 12 микросхем, можно получить 24 ГБ на 384-битной шине.

При скорости 24 Гбит/с эти микросхемы обеспечивают на 50% большую пропускную способность, чем микросхемы, работающие со скоростью 16 Гбит/с, и на 71% больше, чем микросхемы, работающие со скоростью 14 Гбит/с. Гипотетическое 6-нанометровое обновление GPU Navi 21 в паре с этими микросхемами будет характеризоваться пропускной способностью памяти 768 ГБ/с сверх пропускной способности Infinity Cache по сравнению с нынешними 512 ГБ/с у текущей Radeon RX 6800 XT. Источник предполагает, что образцы микросхем уже есть у AMD и Nvidia. Пока неизвестно, когда начнется серийное производство, но это определенно может произойти в 2022 году.

Джерело: iXBT.com

Обговорення новини

Коментариев пока никто не оставил. Станьте первым!