Анонс Snapdragon 780G - предтоповый 5G-чипсет Qualcomm
Qualcomm, на фоне проблем с производством, вызванных пандемией представила Snapdragon 780G, который должен заменить Snapdragon 765G/768G на пьедестале лучшего предтопового чипа с 5G. Итак, перед нами 5-нм трехкластерное решение с одним "сильным" ядром Cortex-A78 с частотой 2,4 ГГц (Kryo 670 Gold), тремя ядрами того же типа с частотой 2,2 ГГц (Kryo 670 Silver) и четырьмя энергосберегающими ядра Cortex-A55 по 1,9 ГГц. К ключевым параметрам также следует отнести графический ускоритель Adreno 642 и модем Snapdragon X53.
Смартфоны на Snapdragon 780G смогут получить до 16 ГБ памяти LPDDR4X (частота до 2,1 ГГц), дисплей с разрешением Full HD+ с частотой обновления до 144 Гц, обрабатывать фотографии будет ISP Spectra 570, а за безопасность будет отвечать Hexagon 770. Применяется флагманский движок AI шестого поколения. Естественно, производители смогут реализовать полный набор беспроводных подключений, в том числе Wi-Fi 6E и Bluetooth 5.2 (FastConnect 6900). По словам Qualcomm, Snapdragon 780G дебютирует во втором квартале этого года, что снижает вероятность его дебюта в понедельник, 29 марта, в составе Xiaomi Mi 11 Lite. Впрочем, могут быть варианты.
Джерело: Mobiltelefon.Ru
Обговорення новини
Попередні новини
Imagination будет открывать новые горизонты в ИИ, GPU и гибридных процессорах12:04 27.03.2021За последние годы компания Imagination пережила банкротство и едва отбилась от китайцев. Она уцелела, но былого благополучия, как во времена работы с Apple, уже нет. И в Imagination решили заглянуть далеко вперёд по шкале технологического развития полупроводников.
SMARTtech: Как разблокировать iPhone, если он требует ремонта?!11:55 27.03.2021Бывает, что пользователь случайно забывает пароль на собственном айфоне, поэтому приходится Google-ть информацию о том, как разблокировать смартфон. В телефоне довольно продвинутая система безопасности, а блокировка бывает сразу нескольких видов, например, привязка к сети оператора, код-пароль, блокировка активации или поломка кнопки питания.
Samsung разработала память DDR5 объемом 512 ГБ для суперкомпьютеров и ЦОД17:44 26.03.2021Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 ГБ на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG). Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с).
